科技改變生活 · 科技引領(lǐng)未來(lái)
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6 月 12 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，相關(guān)行業(yè)機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，存儲(chǔ)芯片廠商明年在設(shè)備方面的支出將達(dá)到 300 億美元。
預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片廠商明年在設(shè)備方面的支出將達(dá)到 300 億美元的，是國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)。
國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片廠商明年在設(shè)備方面支出 300 億美元，也就意味著在他們預(yù)計(jì)的全球半導(dǎo)體廠商明年在晶圓設(shè)備 677 億美元的支出中，超過(guò) 4 成是來(lái)自存儲(chǔ)芯片廠商。
從國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)計(jì)的支出來(lái)看，存儲(chǔ)芯片廠商明年在設(shè)備方面的花費(fèi)，在芯片領(lǐng)域的廠商中是最多的。
國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)計(jì)邏輯和芯片代工商明年在設(shè)備方面支出 290 億美元，僅次于存儲(chǔ)芯片廠商。
在存儲(chǔ)芯片方面，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)還預(yù)計(jì) 3D NAND 閃存和 DRAM 存儲(chǔ)在設(shè)備方面的支出，今明兩年會(huì)有不同的變化。3D NAND 閃存今年的支出預(yù)計(jì)增長(zhǎng) 30%，明年增長(zhǎng) 17%。DRAM 存儲(chǔ)廠商今年在設(shè)備方面的支出預(yù)計(jì)下滑 11，2021 年則會(huì)增長(zhǎng) 50%。
丁龍一