（報(bào)告出品方/作者：中國(guó)銀河證券）一、公司LED芯片龍頭地位穩(wěn)固，其他化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)加速落地（一）全球LED芯片龍頭，全面布局化合物半導(dǎo)體公司是全球LED芯片龍頭，其他化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)逐加速落地。三安光電股份有限公司主要以化合物半導(dǎo)體材料

（報(bào)告出品方/作者：中國(guó)銀河證券）

一、公司 LED 芯片龍頭地位穩(wěn)固，其他化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)加速落地

（一）全球 LED 芯片龍頭，全面布局化合物半導(dǎo)體

公司是全球 LED芯片龍頭，其他化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)逐加速落地。三安光電股份有限公司主要以化合物半導(dǎo)體材料所涉及的外延片、芯片為 核心主業(yè)，化合物半導(dǎo)體涉及砷化鎵、氮化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍(lán)寶石等新材料， 主要應(yīng)用于照明、顯示、背光、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、光伏發(fā)電、移動(dòng)通信設(shè)備和基站、消費(fèi)電源快速 充電器等領(lǐng)域。公司下游客戶主要為L(zhǎng)ED 封裝企業(yè)及化合物半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)公司。

保持 LED 芯片龍頭地位，積極布局Mini/Micro LED。公司深耕 LED芯片領(lǐng)域，產(chǎn)品結(jié) 構(gòu)完善，包括藍(lán)綠光芯片、白光芯片、顯示芯片、背光芯片、紫外、Mini/Micro LED 等。據(jù) LEDinside 統(tǒng)計(jì)，公司在 2019 年中國(guó) LED 芯片市場(chǎng)份額達(dá)到 32％，產(chǎn)銷規(guī)模位居首位。在 Mini/Micro LED 等新技術(shù)產(chǎn)品方面，公司是三星 Mini LED 芯片首供，已實(shí)現(xiàn) Mini LED的批 量供貨，在 Micro LED 方面公司也有長(zhǎng)期布局，目前進(jìn)展順利。

公司在 LED業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上，將化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)向射頻、光通信、電力電子領(lǐng)域發(fā)展。公 司通過(guò)子公司三安集成發(fā)展射頻、光通訊、電力電子等集成電路芯片業(yè)務(wù)，可以提供砷化鎵、 氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體代工。伴隨 5G商業(yè)化提速，公司的智能終端射頻及濾波器的 市場(chǎng)規(guī)模將迎來(lái)加速成長(zhǎng)，公司乘勢(shì)而上打造具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的射頻、濾波器集成電路廠商。 受益于電動(dòng)車、光伏等第三代半導(dǎo)體電力電子器件市場(chǎng)規(guī)模快速增長(zhǎng)，公司碳化硅二極管業(yè)務(wù) 開拓客戶 182 家。此外，公司的光通訊業(yè)務(wù)在保持及擴(kuò)大現(xiàn)有中低速 PD/MPD 產(chǎn)品的市場(chǎng)領(lǐng) 先份額外，在附加值高的高端產(chǎn)品如10G APD/25G PD 以及 10G/25G VCSEL 和 DFB 發(fā)射端 產(chǎn)品均已在行業(yè)重要客戶處實(shí)現(xiàn)驗(yàn)證通過(guò)，進(jìn)入實(shí)質(zhì)性批量生產(chǎn)階段。

（二）股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，員工持股計(jì)劃彰顯未來(lái)信心

股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，國(guó)家大基金入股支持化合物半導(dǎo)體發(fā)展。公司控股股東為三安集團(tuán)。林秀 成先生為公司實(shí)際控制人，持股比例為 14.6%。2015 年與國(guó)家大基金簽訂協(xié)議，支持三安光 電重點(diǎn)發(fā)展 III-V 族化合物，支持并購(gòu)境內(nèi)外相關(guān)上下游企業(yè)。目前大基金持有公司 9.3%的股 權(quán)，為公司第二大股東。2019 年三安光電引入興業(yè)信托、泉州金控與安芯基金作為公司戰(zhàn)略 投資者，有望大幅增加公司控股股東的現(xiàn)金流，改善財(cái)務(wù)報(bào)表結(jié)構(gòu)，同時(shí)解決公司投產(chǎn)前期需 要的大規(guī)模設(shè)備和資金投入的問(wèn)題。

三期員工持股計(jì)劃完成，彰顯公司信心。公司自 2014 年開始，共履行2014年度三年鎖定 期員工持股計(jì)劃、2016 年度一年鎖定期員工持股計(jì)劃及 2020 年度一年鎖定期員工持股計(jì)劃， 通過(guò)員工持股計(jì)劃實(shí)現(xiàn)母公司全員持股?；趯?duì)公司價(jià)值的高度認(rèn)可和對(duì)公司未來(lái)發(fā)展前景 的信心，公司于 2018 年實(shí)施回購(gòu)股票計(jì)劃，共回購(gòu)本公司股份 24,494,328股，占本公司已發(fā)行股份的總比例為 0.60%；截至 2020 年 11 月 11 日，本公司第三期員工持股計(jì)劃通過(guò)非交易 過(guò)戶方式受讓本公司回購(gòu)賬戶中持有的股票和通過(guò)二級(jí)市場(chǎng)購(gòu)買的本公司股票全部實(shí)施完畢， 合計(jì)持有本公司股票 76,017,479 股，占本公司總股本的1.6971%，彰顯了公司對(duì)未來(lái)發(fā)展的信 心。

（三）持續(xù)高研發(fā)投入，公司競(jìng)爭(zhēng)力不斷提升

公司作為國(guó)內(nèi)產(chǎn)銷規(guī)模首位的化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)，多年來(lái)持續(xù)加大研發(fā)投入，積極 提升核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司不斷加強(qiáng)研發(fā)實(shí)力建設(shè)，研發(fā)投入不斷攀升，2016 年至 2020年間研發(fā)支出增長(zhǎng)超 110.1%，2020 年研發(fā)支出合計(jì) 9.3 億元，營(yíng)收占比 11%；研發(fā)團(tuán)隊(duì)不斷壯大，自 2016 年的 1178 人，上升至 2020 年的 2602 人，占總員工比例 18.62%。扎實(shí)的研發(fā)基礎(chǔ)成為 公司未來(lái)產(chǎn)品創(chuàng)新、技術(shù)開發(fā)的核心驅(qū)動(dòng)力，為公司戰(zhàn)略發(fā)展奠定了基石。

在全球多國(guó)相繼成立研發(fā)中心，研發(fā)能力達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。公司作為國(guó)家人事部認(rèn)定的 博士后工作站及國(guó)家級(jí)企業(yè)技術(shù)中心，擁有國(guó)際頂尖的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，研發(fā)能力已達(dá)到國(guó)際先 進(jìn)水平。公司擁有國(guó)內(nèi)外發(fā)明專利和專有技術(shù)1654 項(xiàng)，其中國(guó)內(nèi)專利 1198 項(xiàng)（授權(quán)專利 866 項(xiàng)），國(guó)際專利 456 項(xiàng)（含 PCT96 件，授權(quán)專利 295 項(xiàng)），其中發(fā)明專利占 86.7%。隨著公司 不斷加大研發(fā)力度，繼續(xù)完善專利布局，市場(chǎng)占有率將進(jìn)一步提升。子公司三安集成已申請(qǐng)了 多項(xiàng)國(guó)內(nèi)外發(fā)明專利，目前公司主力產(chǎn)品各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，為集成電路業(yè)務(wù) 的市場(chǎng)拓展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

公司作為L(zhǎng)ED行業(yè)龍頭，規(guī)模與渠道優(yōu)勢(shì)明顯。公司作為國(guó)內(nèi)產(chǎn)銷規(guī)模首位的化合物半 導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)，不僅投資規(guī)模大，需要配置 MOCVD外延爐、蒸鍍機(jī)、光刻機(jī)、蝕刻機(jī)、研磨 機(jī)、拋光機(jī)、劃片機(jī)和各類檢測(cè)等價(jià)格昂貴的設(shè)備，而且技術(shù)壁壘高，在制造過(guò)程中需要集成 物理、化學(xué)、光電、機(jī)電等多領(lǐng)域的知識(shí)。公司的規(guī)模優(yōu)勢(shì)還帶來(lái)了強(qiáng)大的議價(jià)能力，能有效 的降低成本，帶來(lái)更大的產(chǎn)能，實(shí)現(xiàn)良性循環(huán)。此外，公司還積極布局上游原材料襯底，形成 部分自給能力，設(shè)立廠中廠配套輔料氣體自制，下游布局特殊應(yīng)用領(lǐng)域，針對(duì)市場(chǎng)的特點(diǎn)，生產(chǎn)不同領(lǐng)域和不同波段芯片，產(chǎn)品種類全，覆蓋領(lǐng)域廣，滿足下游不同層次客戶需求。

（四）公司業(yè)績(jī)將迎拐點(diǎn)，營(yíng)業(yè)收入大幅增長(zhǎng)

2020 年收入及凈利潤(rùn)有所恢復(fù)，2021H1 業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng)。2020 年全球疫情持續(xù)高發(fā)，LED 整體市場(chǎng)需求體現(xiàn)較強(qiáng)韌性。由于原材料 價(jià)格大幅上漲，疊加疫情影響，中小企業(yè)面臨更大的挑戰(zhàn)，優(yōu)勢(shì)資源和優(yōu)質(zhì)客戶向掌握核心技 術(shù)與產(chǎn)業(yè)布局合理的龍頭企業(yè)聚集，行業(yè)集中度得到一定提高，2021H1 公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 61.14億 元，同比增長(zhǎng)71.4%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn) 8.84 億元，同比增長(zhǎng)39.2%。

公司費(fèi)用結(jié)構(gòu)合理，利潤(rùn)率水平趨于穩(wěn)定。2016-2019 年，公司研發(fā)費(fèi)用支出不斷增加， 2020 年公司研發(fā)費(fèi)用支出大幅增加，同比翻一番。銷售費(fèi)用率與管理費(fèi)用率都穩(wěn)步提升，費(fèi) 用結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。2017-2020 年公司毛利率、凈利率逐年下滑，2020 年分別為24.47%和 12.02%，下滑趨勢(shì)逐漸穩(wěn)定。

公司去庫(kù)存成效顯著，運(yùn)營(yíng)效率顯著提升。2020 年上半年公司努力克服疫情影響積極復(fù) 工復(fù)產(chǎn)，然而市場(chǎng)需求平淡，直到年底才開始逐步回暖，造成公司庫(kù)存上升。2020 下半年以 來(lái)，LED 行業(yè)需求復(fù)蘇明顯，今年以來(lái)部分 LED 芯片出現(xiàn)缺貨漲價(jià)，公司 LED 芯片銷售良 好，庫(kù)存水平顯著降低。2021 年上半年公司庫(kù)存金額同比減少 6.6 億元，其中 LED芯片庫(kù)存 減少 6.9 億元，二季度LED 芯片庫(kù)存環(huán)比減少 4.64億元，公司去庫(kù)存成效顯著。公司存貨周 轉(zhuǎn)率也從去年同期的 258 天逐步降至目前的 156 天，營(yíng)運(yùn)效率顯著提升。

二、全球 LED 景氣回暖，Mini LED 帶動(dòng)新一輪增長(zhǎng)

（一）LED 景氣度回暖，行業(yè)迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)

根據(jù) LED 從生產(chǎn)到應(yīng)用的全過(guò)程，LED 產(chǎn)業(yè)鏈一般可以分為上游、中游、下游三個(gè)細(xì) 分行業(yè)。其中上游主要為襯底和 LED 芯片的生產(chǎn)制造，中游為L(zhǎng)ED芯片的封裝，下游為各類 LED 顯示、照明、背光產(chǎn)品的生產(chǎn)和應(yīng)用。其中，襯底是制造 LED的基底、生產(chǎn)外延片的主 要原材料，外延片目前主要采用 MOCVD 設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)。根據(jù)產(chǎn)品的功能和特點(diǎn)，LED 應(yīng)用產(chǎn)品包括 LED 顯示產(chǎn)品、LED 照明產(chǎn)品和 LED 背光產(chǎn)品等。

LED 行業(yè)景氣重新迎來(lái)上行機(jī)遇。2020 年下半年，LED 顯示、背光等需求回暖，LED行業(yè)景 氣重新迎來(lái)上行機(jī)遇。從上游 LED 芯片市場(chǎng)看，2020年受疫情影響行業(yè)規(guī)模將下滑1%左右， 但 2021 年預(yù)計(jì)將重回增長(zhǎng)，2020-2023 年市場(chǎng)規(guī)模復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)達(dá)到 9%左右。

LED 芯片企業(yè)庫(kù)存水位與毛利率進(jìn)一步趨穩(wěn)。自 2018 年起，LED 芯片企業(yè)整體庫(kù)存水 平不斷攀升，2019 年總體保持平穩(wěn)，2020Q1受疫情爆發(fā)影響，行業(yè)需求大幅下降，整體庫(kù)存 水平大幅上漲。此后，LED芯片企業(yè)加強(qiáng)庫(kù)存管理，兆馳股份、華燦光電、聚燦光電庫(kù)存水平 基本保持穩(wěn)定，而三安光電由于不斷加碼化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，導(dǎo)致庫(kù)存水平不斷抬高。

（二）Mini/Micro LED 商業(yè)化加速，公司成為三星首供

Mini/Micro LED 是下一輪 LED 技術(shù)發(fā)展的重要趨勢(shì)，未來(lái)主要應(yīng)用于背光及顯示。 Mini/Micro LED 分類標(biāo)準(zhǔn)并不一致，一般主要按照采取芯片尺寸劃分的方式。傳統(tǒng) LED芯片 尺寸大于300微米，應(yīng)用領(lǐng)域包括照明、背光、顯示，但受到尺寸等影響，高清顯示、高密度 背光應(yīng)用仍然受到限制。MiniLED 芯片尺寸在100-300 微米之間，應(yīng)用領(lǐng)域主要面向 MiniLED 背光以及P0.6（像素點(diǎn)間距 0.6mm）以上的較高清晰度 MiniLED 顯示。Micro LED芯片尺寸 小于 100 微米，甚至未來(lái)有望達(dá)到 10 微米以內(nèi)，應(yīng)用領(lǐng)域主要面向高清顯示，包括 P0.9、P0.6、 P0.3 及以下高清顯示屏/電視，甚至 AR/VR 等更高清晰度的顯示。

Mini/MicroLED 有望引領(lǐng) LED 下一輪增長(zhǎng)。2019年全球 LED應(yīng)用市 場(chǎng)規(guī)模約 168 億美元，2020 年由于疫情原因預(yù)計(jì)市場(chǎng)總規(guī)模將小幅下滑至 165 億美元。未來(lái) 五年，LED 應(yīng)用市場(chǎng)的主要成長(zhǎng)動(dòng)能將來(lái)自 Mini 及 MicroLED的應(yīng)用，有望成為僅次于一般 照明的第二大應(yīng)用市場(chǎng)。

Mini/Micro LED 主要有背光與直顯兩個(gè)應(yīng)用方向。 2021 年將是 Mini LED 背 光商業(yè)化的元年，未來(lái)幾年行業(yè)將迎來(lái)爆發(fā)，Mini LED 背光將首先在中大屏市場(chǎng)打開空間。 Mini/Micro LED 直顯將首先在高端商顯領(lǐng)域逐步替代小間距 LED 顯示，隨著未來(lái)成本的下 降，將逐步向大尺寸消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品以及 VR/AR小尺寸產(chǎn)品滲透。

背光：MiniLED 背光技術(shù)顯示性能可與 OLED 相媲美，成本低于 OLED且有望穩(wěn)步下 降，在不同產(chǎn)品應(yīng)用端優(yōu)勢(shì)明顯。Mini LED 背光對(duì) LED 芯片需求將有指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。與傳統(tǒng) LCD 相比，MiniLED背光具有更高的顯示亮度、均勻性和動(dòng)態(tài)范圍，顯示效果提升明顯。與 OLED 顯示相比，MiniLED 背光在顯示效果相差不大的情況下，具有更低的成本、更長(zhǎng)的使用壽命，并且能夠避免燒屏問(wèn)題。因此，MiniLED 背光在平板、PC、電視等領(lǐng)域滲透速度不斷加快，有望逐步替代 LCD 液晶顯示。 預(yù)測(cè)隨著產(chǎn)業(yè)鏈制程技術(shù)的進(jìn)步和良率的提升，MiniLED 背光成本將以每年15%-20%幅度下降。Mini LED 背光對(duì) LED芯片需求較傳統(tǒng)背光大大提升，傳統(tǒng)側(cè)入式背光液晶電視 LED 芯片需求約 50-100 顆，而 Mini LED 背光電視 LED 芯片需求在 10000 顆以上，將有指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。預(yù)測(cè) 2021 年全球 Mini LED 背光市場(chǎng)規(guī)將達(dá)到 1.5 億美元，同比增長(zhǎng)148%，到 2024 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 23.2億 美元，2020 年-2024 年復(fù)合增速達(dá)到 148%。

直顯：Mini/MicroLED 應(yīng)用前景廣闊，有望成為顯示終極方案。目前 MicroLED 主要用于戶外或公共顯示的超大尺寸解決方案，未來(lái)Micro LED 應(yīng)用范圍將擴(kuò)展至 AR、VR 等特定應(yīng)用領(lǐng)域及電視等大眾消費(fèi)型電子市場(chǎng)。2026 年全球 MicroLED顯示器出貨量將 達(dá) 15.5 百萬(wàn)臺(tái)，CAGR 達(dá) 99%。根據(jù)行家說(shuō)數(shù)據(jù)， 全球小間距顯示市場(chǎng)規(guī)模將從 2020年的 25 億美元增長(zhǎng)至 2025 年的 89 億美元，復(fù)合增速達(dá)到 29%。間距小于 1mm 的 Mini/Micro LED 顯示由于基礎(chǔ)較低將有更高的增速，根據(jù)產(chǎn)業(yè)調(diào)研2020 年市場(chǎng)規(guī)模約 0.8-1.5 億美元，預(yù)計(jì)其未來(lái) 3 年復(fù)合將超過(guò) 100%，2023 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約 9 億美元，其中芯片端市場(chǎng)約 4 億美元。

產(chǎn)品陸續(xù)推出，有望于 2021 年迎來(lái)商用落地的加速。2012 年，Sony 展出了 Micro LED 的 55 英寸高清 LED 電視樣品，Micro LED 作為商業(yè)化產(chǎn)品第一次出現(xiàn)在大眾視野。2016 年 以來(lái)，Micro LED 處于高速發(fā)展階段，多品牌推進(jìn)布局 Mini/MicroLED。蘋果近兩年發(fā)布了一 系列 Mini LED 系列產(chǎn)品，預(yù)計(jì)將于2021 年第一季度推出首款 MiniLED iPad Pro，并在第二 季度量產(chǎn)MiniLED MacBook Pro 機(jī)型。

當(dāng)前全球范圍內(nèi)能實(shí)現(xiàn) Mini LED 背光芯片量產(chǎn)并規(guī)模出貨的企業(yè)相對(duì)較少，具備相應(yīng) 客戶、良率與量產(chǎn)能力的企業(yè)更為稀缺，主要集中在擁有技術(shù)支持、產(chǎn)能布局合理、產(chǎn)能規(guī)模 大等具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的頭部企業(yè)。主要的供應(yīng)商有 Osram（歐司朗）、Nichia（日亞化學(xué)）、 EnnoStar（富采）等企業(yè)。

公司全面布局Mini/MicroLED，已成功切入三星供應(yīng)鏈，成為其首要供應(yīng)商，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn) 批量供貨。2018年 2月，公司全資子公司廈門三安同三星電子簽訂《預(yù)付款協(xié)議》，為三星電 子供應(yīng) LED 芯片。該協(xié)議約定，三星電子支付廈門三安1683萬(wàn)美元預(yù)付款，以保證廈門三安 排他性的顯示用 LED 芯片產(chǎn)能。同時(shí)，二者將持續(xù)討論 MicroLED戰(zhàn)略合作，未來(lái)廈門三安 若實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)Micro LED，有望進(jìn)一步成為三星電子的 MicroLED 首要供應(yīng)商。

技術(shù)方面，公司積極同業(yè)內(nèi)先進(jìn)企業(yè)展開合作，積累技術(shù)優(yōu)勢(shì)，拓展產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。公司同 TCL華星開展技術(shù)合作，共同投資 3 億元（TCL華星出資 55%，三安光電出資 45%）成立聯(lián) 合實(shí)驗(yàn)室，對(duì)雙方的LED 及顯示面板技術(shù)及資源進(jìn)行整合，更高效地對(duì) LED及顯示面板技術(shù) 材料、器件及工藝進(jìn)行研究與開發(fā)，并重點(diǎn)投入 Micro LED 領(lǐng)域。雙方聯(lián)合開發(fā) Micro LED 顯示器端到端技術(shù)過(guò)程中，與自有材料、工藝、設(shè)備、產(chǎn)線方案相關(guān)的技術(shù)，包括Micro LED 芯片、轉(zhuǎn)移、Bonding、彩色化、檢測(cè)等，打造新技術(shù)核心競(jìng)爭(zhēng)力，在未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)中取得先發(fā)優(yōu) 勢(shì)。

公司有機(jī)會(huì)切入蘋果 Mini LED 供應(yīng)鏈，隨著Mini LED成本下降將進(jìn)一步打開市場(chǎng)。一 方面，公司技術(shù)、產(chǎn)能皆處于行業(yè)前列，正穩(wěn)步推進(jìn)客戶驗(yàn)證工作，而 A 公司作為下游大戶， 必將成為公司核心目標(biāo)之一；另一方面，蘋果出于供應(yīng)鏈安全管控的角度，也大概率會(huì)引入第 二家供應(yīng)商。我們認(rèn)為公司作為 MiniLED龍頭企業(yè)之一，未來(lái)切入蘋果供應(yīng)鏈機(jī)會(huì)較大。根 據(jù) TrendForce 預(yù)測(cè)，隨著產(chǎn)業(yè)鏈制程技術(shù)的進(jìn)步和良率的提升，Mini LED背光成本將以每年 15%-20%幅度下降，也將進(jìn)一步打開市場(chǎng)空間，到 2025 年 Mini LED 背光滲透率將達(dá)到 15% 以上。

公司產(chǎn)能彈性大，未來(lái)將在 Mini LED 市場(chǎng)占據(jù)重要份額。2019年 4月，三安光電投資 120 億元于湖北鄂州葛店經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)建設(shè) Mini/Micro LED 芯片項(xiàng)目；2021 年 2月 3日， 項(xiàng)目一期主體建筑成功封頂；2021 年 3 月 16 日，項(xiàng)目變電站如期送電；2021 年 4月 16日， 項(xiàng)目開始試產(chǎn)，且將于近期正式投產(chǎn)。此項(xiàng)目規(guī)劃主要為 Mini/Micro LED芯片，將供給天馬 微電子、華星光電等光電子信息企業(yè)。

（三）LED 新興應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，公司深度布局前景廣闊

除了 Mini/Micro LED，其他 LED新型應(yīng)用也正在加速發(fā)展，植物照明市場(chǎng)迎來(lái)高速增長(zhǎng)、 深紫外 LED 市場(chǎng)快速成長(zhǎng)、車用 LED、紅外 LED 等的市場(chǎng)滲透率正逐步提升。公司積極進(jìn) 行多元化布局，重點(diǎn)投入 Mini/Micro LED、植物照明、車用LED、UV（紫外） LED等新興 應(yīng)用領(lǐng)域，提高公司盈利能力和抗風(fēng)險(xiǎn)能力，未來(lái)成長(zhǎng)空間廣闊。

疫情推動(dòng)消費(fèi)者教育，深紫外 LED 市場(chǎng)迎來(lái)快速發(fā)展。UVC（深紫外）LED前期發(fā)展 緩慢：產(chǎn)品方面，光功率、光效、使用壽命皆有待提高；需求方面，產(chǎn)品使用、殺菌效果難以 被消費(fèi)者直接感知。伴隨技術(shù)的發(fā)展，疊加 2020年新冠疫情爆發(fā)迅速推進(jìn)消費(fèi)者教育、政策 引導(dǎo)，UVC LED進(jìn)入快速增長(zhǎng)通道。短期內(nèi)，防疫將貢獻(xiàn)較大需求，幫助行業(yè)快速突破商業(yè) 化早期階段；長(zhǎng)期內(nèi)，市場(chǎng)滲透率有望進(jìn)一步提升帶來(lái)需求發(fā)展，規(guī)?；嵘档蜕a(chǎn)成本， UVC LED 依然維持較大增長(zhǎng)空間。據(jù) Yole 統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，UVC LED 行業(yè) 2019 年市場(chǎng)規(guī)模為 1.44 億美元，2020 年將同比增長(zhǎng)114%，達(dá)到 3.08 億美元，而2020-2025 年將以 52%的 CAGR 快速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì) 2025 年將達(dá)到 25 億美元。

公司深耕UVC LED 領(lǐng)域，先發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯，將充分受益于行業(yè)爆發(fā)。2014年起，三安光 電在國(guó)內(nèi)率先投入 UVC 深紫外外延、芯片與封裝研發(fā)，并于 2015 年承擔(dān)紫外與深紫外項(xiàng)目 國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃相關(guān)任務(wù)，獲得國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。目前公司針對(duì)已知有效殺菌波段開發(fā) 多種尺寸UVC 芯片及小、中、大及超大功率UVC LED產(chǎn)品，其產(chǎn)品光功率性能已達(dá)國(guó)際同 等水平，達(dá)到 2%-4%光效。目前，三安光電UVC LED已成功切入一線家電品牌的殺菌、水凈 化等應(yīng)用市場(chǎng)，締結(jié)戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同開發(fā) UVC LED 模組。截至 2019 年，三安光電 UVC產(chǎn)品累計(jì)達(dá)到1kk 產(chǎn)出，并實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能 1kk 以上。

植物照明LED 表現(xiàn)優(yōu)異，市場(chǎng)迎來(lái)新發(fā)展。相比于傳統(tǒng)照明光源，使用LED光源進(jìn)行植 物照明具備節(jié)能效率高、散熱低、壽命長(zhǎng)、光譜可調(diào)控等特點(diǎn)，性價(jià)比更高，能滿足更精細(xì)化 的植物生長(zhǎng)需求。預(yù)測(cè) 2015 年全球植物照明市場(chǎng)規(guī)模為 17.6 億美 元，2019 年成長(zhǎng)至 37.9 億美元，CAGR 為 21.1%，且在農(nóng)業(yè) 4.0 趨勢(shì)下，溫室大棚及植物工 廠等新型農(nóng)業(yè)形式滲透率將快速提升，全球植物照明市場(chǎng)將于 2024 年達(dá)到115 億美元。

三安深度布局，借中科三安發(fā)展東風(fēng)，植物照明 LED 芯片業(yè)務(wù)有望快速起量。2015 年 底，三安光電聯(lián)合中國(guó)科學(xué)院共同成立中科三安，分別發(fā)揮各自在植物學(xué)與光電技術(shù)領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)， 共同打造國(guó)際化植物照明龍頭標(biāo)桿。歷經(jīng) 5 年快速發(fā)展，中科三安已完成生長(zhǎng)系統(tǒng)、園藝照 明、環(huán)控系統(tǒng)三大產(chǎn)品系列布局，提供無(wú)人化、模塊化、育苗植物工廠及以人體驗(yàn)為主的植物 夢(mèng)工廠四大解決方案。

伴隨汽車電動(dòng)化、智能化趨勢(shì)，車用 LED使用覆蓋率不斷提升，市場(chǎng)整體保持穩(wěn)定增長(zhǎng)。 2019 年全球車用 LED 市場(chǎng)為 26.72 億美元，2020年在疫情沖擊下，全球汽 車行業(yè)受到抑制，相應(yīng)車用 LED 受到影響，市場(chǎng)規(guī)模下降至25.72 億美元，同比降低 3.74%。 2021 年，預(yù)計(jì) LED將憑借其節(jié)能環(huán)保、亮度及光色可調(diào)、壽命長(zhǎng)、安全性高等優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步 提升車用 LED 滲透率，在頭燈與車用面板需求帶動(dòng)下，獲得較大成長(zhǎng)空間，市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá) 到 29.26 億美元，同比增長(zhǎng) 13.76%。

公司并購(gòu)英國(guó)汽車照明公司 WIPAC快速切入車用LED市場(chǎng)，并以此為基礎(chǔ)進(jìn)行產(chǎn)品拓 展。WIPAC 是一家具備百年發(fā)展歷史，全球領(lǐng)先的豪華汽車、超級(jí)跑車的照明系統(tǒng)一級(jí)供應(yīng)商，主要從事研發(fā)、生產(chǎn)和銷售高端汽車前照燈、尾燈和所有類型的外部輔助照明燈具。三安光電通過(guò)收購(gòu)WIPAC 可加快自身車用LED 芯片產(chǎn)品導(dǎo)入，同時(shí)以此為本向車用顯示、功率器件等領(lǐng)域進(jìn)行拓展。

公司以 LED 業(yè)務(wù)起家，自 2000 年成立起已在LED 領(lǐng)域深耕超20年，憑借深厚的技術(shù)積 累成為國(guó)際性LED 芯片龍頭。同時(shí)，三安光電管理層憑借 LED領(lǐng)域經(jīng)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)及獨(dú)道的戰(zhàn)略眼光，及時(shí)把握 LED 新興應(yīng)用發(fā)展機(jī)會(huì)，成為各細(xì)分領(lǐng)域領(lǐng)頭羊，先發(fā)積累技術(shù)優(yōu)勢(shì)及產(chǎn)能建設(shè)。隨著LED 行業(yè)景氣度回升，以及 Mini LED、植物照明等新興應(yīng)用的加速滲透， LED 行業(yè)將迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)。公司是LED 芯片絕對(duì)龍頭，在Mini LED方面也具備領(lǐng)先實(shí)力， 未來(lái)將充分受益于行業(yè)的復(fù)蘇，LED 業(yè)務(wù)將重回增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)2021-2023 年公司 LED業(yè)務(wù) 板塊將實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 69.00/88.00/106.00 億元，分別同比增長(zhǎng) 38.08%/27.54%/20.45%。同時(shí)，新興 應(yīng)用的占比提升將帶動(dòng)公司整體 LED 業(yè)務(wù)版塊毛利率提升，預(yù)計(jì) 2021-2023 年公司 LED 業(yè)務(wù)板塊毛利率分別為 12.50%/24.00%/28.00%。

三、從材料到封裝打造國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體一站式平臺(tái)

（一）應(yīng)用前景廣闊，化合物半導(dǎo)體開啟新時(shí)代

半導(dǎo)體材料歷經(jīng)三代發(fā)展，各代材料攜手并進(jìn)。第一代半導(dǎo)體材料以硅、鍺為代表，技術(shù) 工藝成熟，儲(chǔ)量極其豐富且性價(jià)比高，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品由硅基材料制作，奠定了微電子 產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)；第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵、磷化銦為代表，相比于第一代半導(dǎo)體材料具備更高的 禁帶寬度及電子遷移率，是制作半導(dǎo)體發(fā)光二極管和通信器件的關(guān)鍵襯底，開創(chuàng)了微波射頻半 導(dǎo)體時(shí)代，同時(shí)奠定了通信半導(dǎo)體基礎(chǔ)；第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅、氮化鎵為代表，其禁帶寬度明顯高于前兩代，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率、高壓、高頻等大功率領(lǐng)域。三代半導(dǎo)體各 有優(yōu)劣，在各自的應(yīng)用場(chǎng)景存在比較優(yōu)勢(shì)，占據(jù)一席之地，在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展下共同擴(kuò) 張。

新應(yīng)用需求為化合物半導(dǎo)體帶來(lái)廣闊空間。硅質(zhì)半導(dǎo)體均衡的物理性質(zhì)鑄就了其半導(dǎo)體 行業(yè)的核心地位，但也制約其新的發(fā)展。在諸如射頻、功率模塊等領(lǐng)域，硅質(zhì)半導(dǎo)體受限于自 身性質(zhì)，無(wú)法適應(yīng)高溫、高頻、高壓等環(huán)境條件。由此，化合物半導(dǎo)體應(yīng)運(yùn)而生。化合物半導(dǎo)體是由兩種元素及以上組成 的化合物半導(dǎo)體材料，即第二代、第三代半導(dǎo)體材料，以砷化鎵、碳化硅、氮化鎵為代表?；衔锇雽?dǎo)體擁有高禁帶寬度、高電子遷移率及高電子飽和漂移速度，能夠滿足新應(yīng)用要求，同 時(shí)具備較強(qiáng)性能、體積優(yōu)勢(shì)，將伴隨科技發(fā)展而獲取廣闊的發(fā)展空間。

第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵被廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信領(lǐng)域。無(wú)線通信信息傳送具備高速、高效特征，要求將信號(hào)作高頻化和數(shù)字化處理，因此需要高頻、高速、低工作電壓及低噪聲的半導(dǎo)體器件。而砷化鎵相對(duì)低的禁帶寬度、高電子遷移率等特性同無(wú)線通信需求相契合，被廣泛應(yīng) 用于移動(dòng)設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、國(guó)防與航空航天等應(yīng)用場(chǎng)景中的通信模塊。

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅、氮化鎵憑借優(yōu)異的性能適應(yīng)高壓、高頻、高溫環(huán)境，被廣泛應(yīng) 用于射頻、功率器件中。碳化硅和氮化鎵相比，碳化硅具有更高的禁帶寬度，能夠承受更高的 電壓，并擁有更高的功率密度；而氮化鎵的電子遷移率相比碳化硅高 1/4，其 dV/dt 電壓超 100V/s，關(guān)斷時(shí)間幾乎為0，能滿足更高頻率要求。

（二）砷化鎵：5G 引領(lǐng)新發(fā)展，VCSEL 貢獻(xiàn)新增量

砷化鎵為最具代表性的第二代半導(dǎo)體材料，同時(shí)也是目前研究最成熟、生產(chǎn)量最大的化合物半導(dǎo)體材料。砷化鎵材料被分為半絕緣和半導(dǎo)體兩類。其中，半導(dǎo)體砷化鎵材料被用于LED 襯底制造，而半絕緣砷化鎵材料主要被用于無(wú)線通信領(lǐng)域中的射頻器件以及光電子領(lǐng)域 的激光 VCSEL等，附加值較高。射頻模組包括功率放大器 PA、濾波器 Filter、低噪聲放大器 LNA、開關(guān) switch、雙工器五大模塊及其他。其中，PA占比整個(gè)射頻市場(chǎng)約33%，大部分由 砷化鎵材料制作而成。

5G技術(shù)對(duì)射頻提出了新要求，砷化鎵PA將加速滲透。4G時(shí)代，手機(jī)端 PA 制造以CMOS 和砷化鎵為主。進(jìn)入5G時(shí)代后，5G網(wǎng)絡(luò)峰值速率將超過(guò) 10Gbps，網(wǎng)絡(luò)延遲降低 50倍至 1毫 秒，連接密度增長(zhǎng)10 倍至 100萬(wàn)/平方公里，要求射頻芯片具備高頻、高效、高功率性能。而傳統(tǒng) CMOS 材料物理性質(zhì)無(wú)法滿足要求；同時(shí)第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵雖然相比砷化鎵具備更優(yōu)秀的性能，但一方面成本還較高，無(wú)法大規(guī)模商用，另一方面功率太高對(duì)手機(jī)功耗影響太大，因此主要在部分基站端應(yīng)用。因此，具備性能優(yōu)勢(shì)、技術(shù)成熟可靠的砷化鎵將充分受益于 5G大時(shí)代的發(fā)展，在民用 PA 領(lǐng)域擴(kuò)大市場(chǎng)份額及規(guī)模。

全頻譜接入，單機(jī)砷化鎵PA應(yīng)用量增加。一方面，5G應(yīng)用要求新的射頻器件承擔(dān) 5G特 有頻段，截至 2021 年 3 月，全球運(yùn)營(yíng)商發(fā)布的 5G 頻段可使用數(shù)目為 196 個(gè)，將帶來(lái)較多砷 化鎵 PA 增量；另一方面，射頻終端需要向前兼容，提供包括 3G、4G在內(nèi)的射頻功能，因此 5G單機(jī)砷化鎵 PA 使用量將在 4G終端基礎(chǔ)上增加。4G手機(jī)平 均使用 5-7 顆 PA 芯片，而 5G手機(jī)所需 PA 芯片數(shù)量將高達(dá)16 顆。

技術(shù)升級(jí)，5G砷化鎵 PA 單價(jià)增加。5G 應(yīng)用對(duì)射頻 PA 提出了新要求：5G技術(shù)的應(yīng)用 導(dǎo)致手機(jī)天線及濾波器組件的增加，而在有限的手機(jī)空間中 PA 組件可用空間將受到擠壓，對(duì) PA 多頻段設(shè)計(jì)帶來(lái)技術(shù)難題；5G新開頻段UHB要求更高的頻率以保證信號(hào)發(fā)送與接收質(zhì)量、 更寬的帶寬以保證數(shù)據(jù)傳輸速度、更高的散熱要求，同時(shí)5G PA 失真現(xiàn)象概率變大，對(duì) PA 設(shè) 計(jì)線性要求提高。2G手機(jī)用 PA 平均單價(jià)為 0.3美元，3G手機(jī) 用 PA 上升至 1.25 美元，全模 4G 手機(jī)用 PA 達(dá)到 3.25 美元，而預(yù)計(jì) 5G手機(jī) PA 平均單價(jià)將 倍增，高達(dá) 7.5 美元以上。

5G手機(jī)滲透率不斷提升，出貨量迎來(lái)快速成長(zhǎng)，驅(qū)動(dòng)砷化鎵市場(chǎng)發(fā)展。預(yù)測(cè) 2021 年第一季度，全球 5G 手機(jī)出貨量占比智能手機(jī) 37%，預(yù)計(jì) 2021 年全年 5G手 機(jī)出貨量將達(dá)到 6.1 億臺(tái)，最終全年占比智能手機(jī) 43%。而預(yù)計(jì)在 5G手機(jī)價(jià)格下行帶動(dòng)下， 5G手機(jī)將快速普及，獲得爆發(fā)式增長(zhǎng)，在2022 年滲透率達(dá)到 52%，反超4G手機(jī)出貨量，并 于 2023 年滲透率達(dá)到 69%。

VCSEL（垂直腔面發(fā)射激光器）技術(shù)是砷化鎵又一重要應(yīng)用領(lǐng)域。此技術(shù)目前主要被用 于消費(fèi)電子領(lǐng)域的 3D 感測(cè)方面，實(shí)現(xiàn)人臉識(shí)別功能。半導(dǎo)體激光器可被分為邊發(fā)射激光器 （EEL）和垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL），其中 VCSEL憑借出光適合做成二維陣列形式、功 耗低等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子市場(chǎng)，在 3D 視覺發(fā)展過(guò)程中占得一席之位。

消費(fèi)電子重塑 VCSEL 產(chǎn)業(yè)，汽車應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下一輪增長(zhǎng)。2017 年，蘋果率先在其 iPhone X 系列產(chǎn)品中應(yīng)用基于 VCSEL的前置結(jié)構(gòu)光方案，已實(shí)現(xiàn)人臉識(shí)別功能，引領(lǐng)全行業(yè)智能手 機(jī) 3D 感測(cè)新浪潮，為 VCSEL 帶來(lái)廣闊增長(zhǎng)空間。而 VCSEL在消費(fèi)電子領(lǐng)域蓬勃發(fā)展的同時(shí)，其憑借自身可靠性、成本優(yōu)勢(shì)開始逐步向車用激光雷達(dá)方案滲透。國(guó)產(chǎn)廠商縱慧芯光 VCSEL 產(chǎn)品已于 2020 年 8 月通過(guò) AEC-Q102 第三方車規(guī)認(rèn)證，成為國(guó)內(nèi) 首家也是目前唯一一家通過(guò)該認(rèn)證廠商。

VCSEL 蓬勃發(fā)展，為砷化鎵市場(chǎng)貢獻(xiàn)新增量。預(yù)測(cè) 2018 年 VCSEL市場(chǎng) 為 7.38 億美元，預(yù)計(jì)2024 年將達(dá)到 37.75 億美元，CAGR 達(dá) 31%，其中手機(jī)及消費(fèi)市場(chǎng)將貢 獻(xiàn) 28.29 億美元增量空間，是 VCSEL 核心應(yīng)用領(lǐng)域。而砷化鎵作為 VCSEL核心原材料，亦 將借助其迅猛發(fā)展獲取較大增長(zhǎng)動(dòng)力。

全球砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模逐年增加，我國(guó)市場(chǎng)將以更快速度發(fā)展。2018 年全球砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 88.7 億美元，預(yù)計(jì)到 2024 年達(dá)到 157.1 億美 元，2018-20124 年 CAGR 為 10%；2018 年中國(guó)砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 238.36億元，預(yù)計(jì)到 2024 年達(dá)到 551.3 億元，2018-2024 年 CAGR 為 15%。

上游設(shè)計(jì)同下游代工互相綁定，共筑護(hù)城河優(yōu)勢(shì)。全球砷化鎵元件市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭壟斷特 征，Skyworks 和 Qorvo 兩家獨(dú)大，分別占整個(gè)市場(chǎng)29.6%和 27.5%份額。而砷化鎵代工市場(chǎng)則 呈現(xiàn)一家獨(dú)大特征，穩(wěn)懋市場(chǎng)占比高達(dá) 76.1%，是當(dāng)之無(wú)愧的全球第一大砷化鎵晶圓代工半導(dǎo) 體廠商。穩(wěn)懋同Skyworks、Qorvo 建立了穩(wěn)定的合作關(guān)系，在砷化鎵設(shè)計(jì)到生產(chǎn)主要環(huán)節(jié)共同 合作，進(jìn)行適配，構(gòu)造獨(dú)特的技術(shù)體系及標(biāo)準(zhǔn)，協(xié)同打造護(hù)城河，占得各自市場(chǎng)較大份額。

國(guó)產(chǎn)砷化鎵上游下游齊發(fā)力，三安光電迅速發(fā)展，有望成為具備全球競(jìng)爭(zhēng)力的砷化鎵制 造企業(yè)。三安光電砷化鎵射頻產(chǎn)品以 2G-5G手機(jī)、WIFI 為主，客戶累計(jì)近100家，客戶地區(qū) 涵蓋國(guó)內(nèi)外，并已成為國(guó)內(nèi)知名射頻設(shè)計(jì)公司主力供應(yīng)商。砷化鎵射頻 2021年上半年擴(kuò)產(chǎn)設(shè) 備已逐步到位，產(chǎn)能達(dá)到 8000 片/月，未來(lái)目標(biāo)擴(kuò)產(chǎn)到 3 萬(wàn)片/月，對(duì)標(biāo)穩(wěn)懋 4-5 萬(wàn)片/月產(chǎn)能 規(guī)模，公司未來(lái)有機(jī)會(huì)成為全球領(lǐng)先的砷化鎵制造企業(yè)。目前。公司下游需求旺盛，公司加快 實(shí)施擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，盡快滿足客戶訂單交付。此外，在砷化鎵 VCSEL 方面，三安光電 10G/25G VCSEL 產(chǎn)品已通過(guò)行業(yè)內(nèi)重要客戶驗(yàn)證，進(jìn)入實(shí)質(zhì)性批量生產(chǎn)階段，出貨量快速增長(zhǎng)，量產(chǎn) 客戶達(dá)到55 家。

（三）氮化鎵：基站射頻+快充，雙輪驅(qū)動(dòng)快速成長(zhǎng)

氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，具備寬禁帶特征，性能優(yōu)異，能滿足更高水平要求。相比 于第一代、第二代半導(dǎo)體材料，其特性優(yōu)勢(shì)突出，氮化鎵器件可在 200℃以上的高溫下工作， 承載更高的能量密度，且具備更高的可靠性、能效比、運(yùn)行速度。和同屬于第三代半導(dǎo)體材料 的碳化硅相比，氮化鎵一方面在降低成本方面展現(xiàn)出了更強(qiáng)的潛力，隨著技術(shù)進(jìn)步及應(yīng)用場(chǎng)景 不斷增加，氮化鎵器件成本中外延成本占約 2/3，有較大下降空間；另一方面，氮化鎵器件為 平面器件，與現(xiàn)有硅半導(dǎo)體工藝兼容性更強(qiáng)，更易于集成，降低用戶使用門檻。

氮化鎵外延片根據(jù)襯底不同被分為硅基氮化鎵（GaN-on-Si）、碳化硅基氮化鎵（GaN-onSiC）和金剛石基氮化鎵（GaN-on-Diamond），其中硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵應(yīng)用更廣。 碳化硅基氮化鎵既擁有碳化硅優(yōu)異的導(dǎo)熱性能，能在較高溫度下運(yùn)行，又具備氮化鎵高頻、高 功效特性，性能優(yōu)越，但襯底成本較高，主要被用于 5G基站 PA、軍用雷達(dá)等領(lǐng)域。相比于碳 化硅基氮化鎵，硅基氮化鎵性能稍遜，但其性能比上一代 LDMOS有較大的發(fā)展，功率密度達(dá) 到其 5-8 倍，同時(shí)硅襯底易于生長(zhǎng)，成本更低，對(duì)傳統(tǒng)CMOS工藝兼容，易于集成，更適合用 于大規(guī)模toC 商用領(lǐng)域，被用于消費(fèi)電子快充、新能源車電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

光電、射頻、電力電子是氮化鎵的主要應(yīng)用場(chǎng)景。從應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)看，氮化鎵材料主要被用 于光電領(lǐng)域，此外射頻是另一大應(yīng)用場(chǎng)景，其次為電力電子領(lǐng)域。據(jù)賽迪顧問(wèn)數(shù)據(jù)顯示，氮化 鎵材料在光電領(lǐng)域應(yīng)用最多，占比 68%，其次為射頻領(lǐng)域，占比 20%，電力電子領(lǐng)域占比為 10%。

氮化鎵憑借優(yōu)異性能，將在 5G 基站端大放異彩。目前射頻前端應(yīng)用中，硅基 LDMOS、 砷化鎵和氮化鎵三分天下，然而隨著射頻應(yīng)用頻率的增加、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用成本下降， LDMOS 無(wú)法滿足更高頻、更高功率的應(yīng)用要求，化合物半導(dǎo)體材料將逐步侵占 LDMOS應(yīng)用 空間。氮化鎵同砷化鎵相比具備更強(qiáng)的性能：氮化鎵器件能提供相比砷化鎵器件高十倍的功率 密度，并具備更大的帶寬、更高的放大器增益，減小器件尺寸。同時(shí)，氮化鎵器件也擁有更高 的功率，被廣泛應(yīng)用于基站端。

“宏小結(jié)合”，5G基站仍處于建設(shè)高峰期。信號(hào)覆蓋范圍主要受穿透能力（功率）和衍射 能力影響。5G 基站信號(hào)覆蓋范圍相較 4G 基站大幅衰減，自 2 公里左右下降至 200 米左右： 一方面，輻射功率受到國(guó)家法規(guī)限制，5G穿透能力有限；另一方面，5G采用較高頻段，分布 于 2515-4900MHz 間，頻率越高、波長(zhǎng)越短、衍射能力越弱。因此，5G基站采用“宏小結(jié)合” 方式實(shí)現(xiàn)信號(hào)全覆蓋，在宏基站的基礎(chǔ)上，建設(shè)小基站以起到中繼作用。根據(jù)工信部及Small Cell Forum 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，2020-2022 年我國(guó) 5G宏基站將引來(lái)建設(shè)高峰，最高達(dá) 80 萬(wàn)座， 而 5G小基站建設(shè)將逐步擴(kuò)張，預(yù)計(jì)將于 2025 年達(dá)到頂峰。

氮化鎵射頻（RF）器件市場(chǎng)規(guī)模 2025 年將突破 20 億美元。5G基站建設(shè)將帶動(dòng)氮化鎵 RF 器件通信領(lǐng)域快速成長(zhǎng)，自 2019 年的 3.18 億美元，成長(zhǎng)至2025 年的 7.31 億美元，CAGR 為 15%。此外，軍用雷達(dá)等領(lǐng)域也將驅(qū)動(dòng)對(duì)氮化鎵器件快速增長(zhǎng)，軍用方面，氮化鎵基新型 AESA 系統(tǒng)中 T/R 模塊的增加，以及機(jī)載系統(tǒng)對(duì)輕量級(jí)器件的嚴(yán)格要求驅(qū)動(dòng)軍用雷達(dá)快速增 長(zhǎng)，2025 年軍用氮化鎵射頻器件市場(chǎng)將達(dá)到 11.1 億美元，復(fù)合增速達(dá)到22%。整體來(lái)看，氮 化鎵 RF器件市場(chǎng)規(guī)模將從 2019 年的 7.4 億美元增長(zhǎng)到 2025 年的 20 億美元，復(fù)合增速達(dá)到12%。

氮化鎵憑借性能與成本優(yōu)勢(shì)，成為快充首選半導(dǎo)體材料。砷化鎵禁帶寬度不夠大，擊穿電 場(chǎng)較低；而碳化硅生長(zhǎng)溫度高、質(zhì)地堅(jiān)硬，導(dǎo)致制造工藝難度大，成本短時(shí)間內(nèi)居高不下，二 者皆難以在快充領(lǐng)域大規(guī)模商用。而氮化鎵適用于中電壓區(qū)間（60-1200V）和中等范圍功率， 且制造成本相對(duì)更低，更適合用于 toC 端快充應(yīng)用。據(jù)Yole 統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，氮化鎵功率器件快 速發(fā)展，2022 年將達(dá)到4.5 億美元，快充領(lǐng)域?qū)⒊蔀橹饕砷L(zhǎng)點(diǎn)。

功耗增加+電池容量限制，快充技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。伴隨消費(fèi)升級(jí)趨勢(shì)，智能手機(jī)運(yùn)行速度、 顯示觀感、數(shù)據(jù)傳輸?shù)确矫嫘枨蟛粩喟l(fā)展，CPU 運(yùn)算性能、屏幕分辨率及射頻模組等不斷升 級(jí)，相應(yīng)手機(jī)耗電量呈現(xiàn)增長(zhǎng)趨勢(shì)。然而受制于手機(jī)輕薄空間、重量、散熱及成本等因素，手 機(jī)電池容量提升空間不大。因而，快充成為解決手機(jī)耗電速度增加和電池容量提升空間小之間矛盾的有效途徑。

龍頭廠商紛紛布局，快充領(lǐng)域從混亂趨于統(tǒng)一。國(guó)外方面，USB-IF（USB 標(biāo)準(zhǔn)化組織） 發(fā)布 Type-C 接口，奠定行業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)，并憑借其 PD協(xié)議占據(jù)一席之地；高通自 2013年起邁 出快充協(xié)議第一步，并不斷進(jìn)行 QC協(xié)議迭代，成為行業(yè)技術(shù)引領(lǐng)者；聯(lián)發(fā)科起步較晚，但其 PE快充協(xié)議全面普及至 2 大通用 CPU 平臺(tái)，極大地加速了快充行業(yè)發(fā)展。國(guó)內(nèi)方面，OPPO 艱難定制開發(fā)，后來(lái)居上，成為國(guó)產(chǎn)快充領(lǐng)域領(lǐng)軍者；同時(shí)，魅族、VIVO、華為等皆在先發(fā)快充協(xié)議基礎(chǔ)上進(jìn)行創(chuàng)新，推出自身的快充協(xié)議。

全球氮化鎵市場(chǎng)被國(guó)外企業(yè)壟斷，CR3 高達(dá)84%。三安光電氮化鎵業(yè)務(wù)穩(wěn)步成長(zhǎng)，未來(lái)發(fā)展空間巨大。氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈包括襯底、外延、設(shè)計(jì) 及制造環(huán)節(jié)，其中三安光電在外延、制造等環(huán)節(jié)皆有布局。三安光電在硅基氮化鎵功率器件方 面客戶認(rèn)證進(jìn)展順利，2020 年完成約 40 家客戶工程送樣及系統(tǒng)驗(yàn)證，已拿到 12 家客戶設(shè)計(jì) 方案，4家進(jìn)入量產(chǎn)階段。

（四）碳化硅：汽車電動(dòng)化趨勢(shì)下的新星

SiC 性能優(yōu)異，被廣泛應(yīng)用于高壓、高頻領(lǐng)域，新能源汽車成為其主要應(yīng)用領(lǐng)域。SiC比 Si 的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)高約10 倍，可耐 600到數(shù)千伏高壓，可降低漂移層厚度，從而獲取更低的 漂移層電阻，能夠大幅降低能量損耗。同時(shí)，其具備高頻、高功率以及在高溫下工作等優(yōu)勢(shì)， 因而被廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。SiC功率器件前三大應(yīng)用市場(chǎng) 為新能源汽車、電源和光伏，合計(jì)占比66.8%，其中新能源汽車占比為 30%，是 SiC功率器件 市場(chǎng)成長(zhǎng)主要驅(qū)動(dòng)力。

汽車電動(dòng)化帶動(dòng)單車功率半導(dǎo)體價(jià)值量大幅提升。電動(dòng)化方面，新能源汽車主要可以分為純電動(dòng)汽車（BEV）和混合動(dòng)力汽車（HEV），目前二者合計(jì)占比超過(guò)90%，其他類型如燃料電池汽 車占比很小。與傳統(tǒng)汽車相比，新能源汽車的汽車電子成本占比大幅提升。傳統(tǒng)燃油車的車均半導(dǎo)體用量為 338 美元，而功率半導(dǎo)體僅占 21%，為 71 美元。混合動(dòng)力汽車新增的半導(dǎo)體中 76%是功率半導(dǎo)體，車均增量達(dá)到 283美元，功率半導(dǎo)體 價(jià)值為傳統(tǒng)汽車的4倍，純電動(dòng)汽車中的功率半導(dǎo)體價(jià)值量則比混合動(dòng)力汽車中更多，平均來(lái) 看，新能源汽車功率半導(dǎo)體單車價(jià)值量是傳統(tǒng)燃油車的約 5 倍。

全球汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模2025 年將達(dá)到 125 億美元，其中新能源汽車功率半導(dǎo)體規(guī) 模將達(dá) 73 億美元。預(yù)測(cè)全球汽車銷量將從2020 年 7210 萬(wàn)輛增長(zhǎng)至 2025年 9380 萬(wàn)輛，其中，全球新能源汽車銷量將從 2020 年的 340 萬(wàn)輛增長(zhǎng)到 2025 年的 1690 萬(wàn)輛， 新能汽車滲透率從 2020 年的 4.7%提高到 2025 年的 18.0%。目前，燃油車單車功率半導(dǎo)體成本約 71 美元，新能源汽車單車功率半導(dǎo)體成本約 350美元，其中純電動(dòng)汽車高于混合動(dòng)力汽 車。未來(lái)，燃油車單車功率半導(dǎo)體成本將基本保持穩(wěn)定，新能源汽車功率半導(dǎo)體單車 成本將隨著純電動(dòng)汽車占比提升以及雙電機(jī)滲透率增加而繼續(xù)提升。預(yù)計(jì)2025年全球汽 車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 72.7 億美元，CAGR 為 15.8%，到 2030年市場(chǎng)規(guī)模將繼續(xù)增長(zhǎng) 至 212.1億美元；新能源汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模2025年將達(dá)到72.7億美元，CAGR為 43.6%， 到 2030 年市場(chǎng)規(guī)模有望突達(dá)到 171.2 億美元。

新能源汽車充電樁的發(fā)展將成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)又一重要驅(qū)動(dòng)力。充電樁是新能源汽車 的配套設(shè)施。預(yù)測(cè) 2020 年中美歐新能源汽車充電需求約為 180 億千瓦時(shí)， 預(yù)計(jì)到 2030 年，伴隨新能源汽車滲透率的提升，新能源汽車充電需求將高達(dá) 2710億千瓦時(shí)。 2020 年中美歐充電樁數(shù)量約為 300 萬(wàn)個(gè)，預(yù)計(jì)到 2030 年增長(zhǎng)至 4000 萬(wàn)個(gè)，年復(fù)合增速約 30%。作為新能源汽車充電樁的核心零部件，功率半導(dǎo)體用量將在新能源汽車充電設(shè)施旺盛需求驅(qū)動(dòng)下大幅增長(zhǎng)。目前充電樁平均成本約3200美元，功率半導(dǎo)體約占充電樁成本 20%，預(yù)計(jì)未來(lái) 10 年充電樁功率半導(dǎo)體增量空間將超過(guò)200 億美金。

目前車用功率半導(dǎo)體中主要用到 IGBT 和 MOSFET。其中，IGBT是新能源汽車中核心功率半導(dǎo)體部件，在新能源汽車功率半導(dǎo)體中占比約 8 成，是汽車電動(dòng)化最受益的細(xì)分領(lǐng)域。2019年全球插 電式混合動(dòng)力汽車及純電池電動(dòng)車共銷售約 220 萬(wàn)輛，而全球新能源汽車IGBT市場(chǎng)規(guī)模約為 6 億美元，由此可推算目前新能源汽車中 IGBT 單車平均價(jià)值量約為 270美元，占單車功率半 導(dǎo)體價(jià)值量超過(guò) 80%。作為電動(dòng)化下核心受益品種，預(yù)計(jì)全球新能源汽車IGBT將在未來(lái) 幾年實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)，2025 年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到約 50 億美元。

SiC 功率器件適用于高壓領(lǐng)域，具有更好的性能，可部分替代IGBT。第三代半導(dǎo)體材料 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表。其中，碳化硅的耐高 壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的兩倍，高頻能力是硅的 2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采 用碳化硅材料可縮小體積 50%，降低能量損耗 80%。使用碳化硅材料替代原本硅基材料，可 實(shí)現(xiàn)器件體積更小同時(shí)能量密度更大。根據(jù)英飛凌數(shù)據(jù)，相比于Si 基材料逆變器，SiC材料逆 變器擁有更低的體積及重量，分別是其 1/3、1/4；同時(shí)，Rohm數(shù)據(jù)顯示，SiC MOSFET在實(shí) 際應(yīng)用中，開關(guān)頻率可達(dá) 50KHz 以上，是主流 IGBT 開關(guān)頻率（最高 20KHz）的兩倍以上， 能量損耗則是其 27%。SiC 基 MOSFET憑借其優(yōu)良的性能和體積優(yōu)勢(shì)有望替代部分 IGBT。

SiC 基 MOSFET成功打入高端車型，實(shí)現(xiàn)從 0 到 1 的突破，將加速滲透。第三代半導(dǎo)體 領(lǐng)先企業(yè) Cree、英飛凌以及特斯拉、豐田等汽車巨頭都在推動(dòng) SiC 器件在汽車上的應(yīng)用，部 分高端車型已經(jīng)實(shí)現(xiàn)從0 到 1 的突破。特斯拉推出第一款集成全 SiC功率模塊車型——Model 3，由特斯拉及意法半導(dǎo)體共同設(shè)計(jì)，此車型 SiC功率模塊由英飛凌供應(yīng)。比亞迪推出首款批 量搭載 SiC MOSFET 組件的車型——比亞迪漢EV四驅(qū)版，SiC 電控綜合效率高達(dá)97%以上。

新能源汽車將成為 SiC 功率器件增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?/strong>為更好地滿足使用者需求，電動(dòng)汽車 將持續(xù)向更長(zhǎng)的行駛里程、更快的充電速度、更大的電池容量發(fā)展。隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的擴(kuò)大 以及其他系統(tǒng)的更新?lián)Q代，SiC 功率半導(dǎo)體將更多地在車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆 變器等方面應(yīng)用，帶來(lái) SiC 市場(chǎng)的激增。預(yù)測(cè) 2019 年全球 SiC 市場(chǎng)規(guī)模為 5.41 億美元，預(yù)計(jì) 2025 年將達(dá)到 25.62 億美元，CAGR 為 30%；其中，新能源汽車及充電樁 領(lǐng)域?qū)⒇暙I(xiàn) SiC 市場(chǎng) 76.60%的增量，自 2.3 億美元增長(zhǎng)至 17.8 億美元，CAGR 達(dá)到 41.6%。

碳化硅市場(chǎng)目前主要被海外企業(yè)占據(jù)，國(guó)內(nèi)企業(yè)份額較小。碳化硅產(chǎn)業(yè)中襯底是技術(shù)壁 壘最高的環(huán)節(jié)，襯底和外延目前在碳化硅中價(jià)值量占比約 60%。 2020年上半年美國(guó)Cree公司碳化硅襯底市占率達(dá)到 45%，其次為日本的羅姆和美國(guó)的II-VI， 國(guó)內(nèi)龍頭山東天岳、天科合達(dá)合計(jì)市場(chǎng)份額不到10%。國(guó)內(nèi)外差距還最體現(xiàn)在尺寸方面，目前 全球主流尺寸是 6 英寸，Cree 已經(jīng)研制出8英寸，但國(guó)內(nèi)還以4英寸為主，6英寸還僅是小批 量供應(yīng)。在碳化硅器件方面，國(guó)外 MOSFET 已實(shí)現(xiàn)大批量出貨，國(guó)內(nèi)目前主要產(chǎn)品還是集中 在二極管等領(lǐng)域，MOSFET 還沒有能夠大規(guī)模出貨。未來(lái)隨著國(guó)內(nèi)產(chǎn)能的逐漸釋放，國(guó)內(nèi)企業(yè)市占率有望持續(xù)提升。

公司是國(guó)內(nèi) SiC 領(lǐng)域稀缺標(biāo)的之一，從材料、襯底、外延、設(shè)計(jì)制造到封測(cè)實(shí)現(xiàn)全面布 局。三安光電SiC 產(chǎn)品主要為高功率密度 SiC 功率二極管、MOSFET，被用于電力電子領(lǐng)域。 除了三安集成已經(jīng) 具備的 4 寸片SiC 產(chǎn)線外，公司湖南三安項(xiàng)目已于6 月 23 日正式點(diǎn)火，該項(xiàng)目總投資 160億 元，分兩期建設(shè)，主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代 半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地。湖南三安 SiC 產(chǎn)線采用 6 寸片，遠(yuǎn)期規(guī)劃產(chǎn)能 3 萬(wàn)片/月， 未來(lái)成長(zhǎng)空間廣闊。

（五）進(jìn)軍濾波器賽道，完善射頻業(yè)務(wù)布局

濾波器是射頻系統(tǒng)中最重要的組件，肩負(fù)接收特定頻段信號(hào)、過(guò)濾其他頻段信號(hào)的重任， 直接影響信號(hào)通信質(zhì)量。射頻前端運(yùn)作過(guò)程中將同時(shí)接收各類頻段信號(hào)，而所需信號(hào)將受到其 他頻段信號(hào)的干擾，因此需要濾波器將其他信號(hào)進(jìn)行濾除，從而提高特定信號(hào)的抗干擾性、信 噪比及分析精度。2019 年，濾波器占射頻前端市場(chǎng)比例54%，是第一大細(xì)分市場(chǎng)。

按制造工藝可將濾波器分為聲表面波濾波器（SAW）和體聲波濾波器（BAW）。其中 SAW 濾波器適用于10MHz-3GHz 頻段、技術(shù)成熟、成本較低，而BAW 濾波器適用于 1.5GHz-6GHz、 工藝復(fù)雜、成本較高。

5G技術(shù)升級(jí)+多頻段兼容，驅(qū)動(dòng)濾波器量?jī)r(jià)齊升。

設(shè)計(jì)難度升級(jí)及產(chǎn)品替代，共同推動(dòng)濾波器平均單價(jià)顯著提升：5G 高頻要求天線、PA、濾波器等射頻組件數(shù)量增加，而移動(dòng)終端有限的空間則對(duì)整體集成化提出了新的挑戰(zhàn)；同時(shí)， SAW 濾波器無(wú)法承擔(dān)高頻重任，高頻領(lǐng)域任務(wù)將由BAW 濾波器承擔(dān)，其中 BAW 成本超過(guò)1 美元，相比于SAW 的 0.1-0.5 美元的成本大幅增加。

濾波器市場(chǎng)頭部集中，細(xì)分來(lái)看，BAW濾波器市場(chǎng)相較于SAW濾波器市場(chǎng)集中度更高， 技術(shù)壁壘更強(qiáng)，更具壟斷特征。SAW 濾波器方面，以村田、TDK和太陽(yáng)誘電為代表的的日系 廠商分列前三甲，牢牢把控第一梯隊(duì)，合計(jì)占比達(dá) 82%，其中村田億 47%的份額占據(jù)第一； BAW 濾波器方面，博通一枝獨(dú)秀，憑借超強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力及專利布局壟斷行業(yè)，占比高達(dá) 87%。

國(guó)產(chǎn)廠商在濾波器國(guó)產(chǎn)替代方面正加速追趕。SAW 方面，已完成中低端布局，正向高端 發(fā)展，其中，卓勝微已建立了成熟的 SAW 濾波器研發(fā)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)，成功驗(yàn)證前道設(shè)計(jì)流 程與后道生產(chǎn)流程，并完成GPS、WiFi和移動(dòng)通信 SAW的產(chǎn)品量產(chǎn)或出貨；麥捷科技已成功 進(jìn)入華為供應(yīng)鏈，代表國(guó)產(chǎn) SAW 高端產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)從 0 到 1 的突破。BAW 方面，國(guó)產(chǎn)廠商技術(shù) 已有一定基礎(chǔ)，有待技術(shù)積累進(jìn)一步突破。2019 年，開遠(yuǎn)通信宣布推出國(guó)產(chǎn)首顆應(yīng)用在5G n41 頻段的高性能BAW 濾波器產(chǎn)品 EP70N41，成為國(guó)產(chǎn)廠商在5G BAW 濾波器的首次突破；2019 年，諾思宣布推出全球首款高功率容量 BAW 濾波器，可滿足基站產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景需求，有助于 解決 5G小尺寸、高性能和高功率的業(yè)界痛點(diǎn)問(wèn)題；2020年，芯和半導(dǎo)體發(fā)布首款自主設(shè)計(jì)和 開發(fā)的 BAW 產(chǎn)品，并宣布已向本土無(wú)線終端客戶送樣，進(jìn)入系統(tǒng)客戶的驗(yàn)證和測(cè)試階段。

三安光電濾波器業(yè)務(wù)快速發(fā)展，未來(lái)有望以 SAW 技術(shù)為根基進(jìn)軍 BAW 領(lǐng)域。2017 年 起，三安集成設(shè)立國(guó)際化濾波器研發(fā)中心，吸納全球科技人才，全面研發(fā)濾波器設(shè)計(jì)、工藝開 發(fā)和高端封裝技術(shù)。2020 年第四季度開始，三安集成 SAW 和 TC-SAW 濾波器出貨量大幅攀升，濾波器SAW 和 TC-SAW 產(chǎn)品已開拓客戶41家，其中 17家為國(guó)內(nèi)手機(jī)和通信模塊主要客 戶，產(chǎn)品已成功導(dǎo)入手機(jī)模塊產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈。

（六）全產(chǎn)業(yè)鏈布局，打造從材料到封裝一站式平臺(tái)

三安光電設(shè)立全資子公司三安集成，全面布局化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2014年，廈門市三安 集成電路有限公司注冊(cè)成立，2015 年開始實(shí)施建設(shè)30 萬(wàn)片/年 GaAs 和 6 萬(wàn)片/年 GaN外延片 生產(chǎn)線以及 30 萬(wàn)片/年 GaAs 和 6 萬(wàn)片/年 GaN 芯片生產(chǎn)線，標(biāo)志三安光電正式進(jìn)軍化合物半 導(dǎo)體領(lǐng)域。

在近 7 年的發(fā)展時(shí)間中，三安集成積極拓展產(chǎn)品研發(fā)，基于 GaAs、GaN 和 SiC 技術(shù)實(shí) 力，形成微波射頻、電力電子、光通訊三大技術(shù)平臺(tái)，掌握 20 余種各具特色的產(chǎn)品開發(fā)制造 能力。2015 年，第一套MPW 流片，HL、HR 樣品首次出貨；2016 年，3G用 HBT HL、2G用 HBT HR 工藝相繼量產(chǎn)出貨；2017 年，4G用 HBT HG、WiFi802.11ac PA、1310nm/1550nm25G PD 相繼量產(chǎn)；2018 年，850nm25G PD、0.15μmpHEMT LNA、P15LN pHEMT產(chǎn)品量產(chǎn)； 2019 年，成功切入 VCSEL 和 5G 基站 PA 市場(chǎng)；2020 年，SiC MOSFET 實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并發(fā)布 1200V 80mΩ產(chǎn)品，標(biāo)志著三安集成技術(shù)實(shí)力達(dá)到新水平。

三安集成產(chǎn)品獲下游高認(rèn)可度，未來(lái)業(yè)績(jī)確定性強(qiáng)。目前化合物半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)產(chǎn)能缺乏， 客戶尋求代工意愿強(qiáng)烈，三安集成積極進(jìn)行客戶認(rèn)證開發(fā)，三大業(yè)務(wù)平臺(tái)齊頭并進(jìn)，獲得客戶 高度評(píng)價(jià)，產(chǎn)能處于供不應(yīng)求狀態(tài)。在此背景下，伴隨訂購(gòu)設(shè)備的逐步到位，產(chǎn)能逐步釋放， 三安集成業(yè)績(jī)將穩(wěn)定發(fā)展。

微波射頻業(yè)務(wù)方面，三安集成產(chǎn)品應(yīng)用于 2G -5G 手機(jī)射頻功放WiFi、物聯(lián)網(wǎng)、路由器、 通信基站射頻信號(hào)功放、衛(wèi)星通訊等市場(chǎng)。截至 2020 年，國(guó)內(nèi)外客戶累計(jì)近 100家，且成為 國(guó)內(nèi)知名射頻設(shè)計(jì)公司主力供應(yīng)商。

電力電子業(yè)務(wù)方面，三安集成產(chǎn)品主要為高功率密度 SiC 功率二極管、MOSFET及 Si基 GaN 功率器件，被用于新能源汽車、充電樁及光伏領(lǐng)域。其中，碳化硅二極管開拓客戶 182家，送樣客戶 92 家，轉(zhuǎn)量產(chǎn)客戶 35 家，超過(guò) 30 種產(chǎn)品已進(jìn)入批量量產(chǎn)階段。二極管產(chǎn)品已有 2 款產(chǎn)品通過(guò)車載認(rèn)證，送樣客戶 4家，目前處于封裝測(cè)試中。在硅基氮化鎵功率器件方面，完 成約 40 家客戶工程送樣及系統(tǒng)驗(yàn)證，已拿到 12 家客戶設(shè)計(jì)方案，4家進(jìn)入量產(chǎn)階段。

光通訊業(yè)務(wù)方面，三安集成在保持及擴(kuò)大現(xiàn)有中低速 PD/MPD 產(chǎn)品的市場(chǎng)領(lǐng)先份額外， 在附加值高的高端產(chǎn)品如 10G APD/25G PD、以及 10G/25G VCSEL 和 DFB發(fā)射端產(chǎn)品均已 在行業(yè)重要客戶處實(shí)現(xiàn)驗(yàn)證通過(guò)，進(jìn)入實(shí)質(zhì)性批量生產(chǎn)階段，PD出貨量穩(wěn)步上升，量產(chǎn)客戶 104 家，VCSEL 出貨量快速增長(zhǎng)，量產(chǎn)客戶 55 家，DFB 發(fā)射端產(chǎn)品從無(wú)到有實(shí)現(xiàn)銷售突破， 13 家客戶進(jìn)入轉(zhuǎn)量產(chǎn)階段。

縱向并購(gòu)，打通全產(chǎn)業(yè)鏈布局。2020 年，三安光電發(fā)布公告，其全資子公司湖南三安半 導(dǎo)體擬以現(xiàn)金3.82 億元收購(gòu)北電新材 100%股權(quán)。北電新材成立于 2017 年，從事 SiC產(chǎn)品的 研發(fā)、生產(chǎn)及銷售業(yè)務(wù)，由國(guó)家級(jí)基金安芯基金投資設(shè)立，并于2017 年全資收購(gòu)瑞典 SiC晶 圓制造商N(yùn)orstel，并不斷整合，吸收其技術(shù)底蘊(yùn)。2019 年，北電新材將 Norstel股份向意法半 導(dǎo)體出售，標(biāo)志其已掌握成熟 SiC制造技術(shù)，有實(shí)力進(jìn)行自主研發(fā)。北電新材產(chǎn)品獲得三安光 電認(rèn)可，因而被收購(gòu)并入三安光電體系，助力三安光電完成 SiC原材料布局，打通全產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn) 略規(guī)劃。

公司自 2014年開始布局化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，以內(nèi)生發(fā)展為主，外延并購(gòu)為輔，不斷積累 技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，打造自身護(hù)城河，目前已成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)。在 5G及 汽車電動(dòng)化趨勢(shì)下，化合物半導(dǎo)體需求旺盛，隨著公司規(guī)劃產(chǎn)能的逐漸釋放，化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 將 迎來(lái) 快速增長(zhǎng)。預(yù)計(jì) 2021-2023 年 公司 化合物半導(dǎo) 體業(yè)務(wù)將實(shí) 現(xiàn)營(yíng)收 23.00/44.00/80.00 億元，同比增長(zhǎng)分別為 136.14%/91.30%/81.82%。同時(shí)，伴隨公司生產(chǎn)規(guī)模 逐漸擴(kuò)大、生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)逐步累積，規(guī)模效應(yīng)及生產(chǎn)效率將逐步發(fā)展，我們預(yù)計(jì)公司化合物半導(dǎo)體 業(yè)務(wù)毛利率將穩(wěn)步提升，2021-2023 年分別為 17.00%/23.00%/30.00%。

四、盈利預(yù)測(cè)

隨著 LED 顯示、背光等需求回暖，行業(yè)新興應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，LED行業(yè)景氣重新迎來(lái)上行 機(jī)遇，同時(shí) Mini/Micro LED 商業(yè)化加速推進(jìn)將引領(lǐng) LED 進(jìn)入下一輪發(fā)展周期。三安光電深 耕 LED 芯片業(yè)務(wù)，同時(shí)多元化布局 Mini/Micro LED、植物照明 LED、車用 LED等新興領(lǐng)域， 預(yù)計(jì) 2021-2023 年公司 LED 業(yè)務(wù)板塊將 69.00/88.00/106.00 億元，分別同比增長(zhǎng) 38.08%/27.54%/20.45%。同時(shí)，隨著疫情影響逐漸減弱，產(chǎn)品價(jià)格逐步回升，公司毛利潤(rùn)將回 到穩(wěn)定水平，2021-2023 年毛利率水平分別為 12.50%/24.00%/28.00%。

公司前瞻性布局化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，產(chǎn)品技術(shù)實(shí)力獲下游客戶認(rèn)證，產(chǎn)能處于供不應(yīng)求階 段，伴隨公司廠房建設(shè)、設(shè)備采購(gòu)逐步到位，新建產(chǎn)能逐步釋放，公司化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)業(yè)績(jī) 將快速成長(zhǎng)。預(yù)測(cè) 2021-2023 年公司化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將實(shí)現(xiàn)營(yíng)收23.00/44.00/80.00億元， 同比增長(zhǎng)分別為 136.14%/91.30%/81.82%。同時(shí)，公司將逐步積累生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，伴隨規(guī)?；?效 應(yīng) 及 生產(chǎn)技術(shù)的突破，盈利能力將穩(wěn)步增長(zhǎng)，2021-2023 年毛利率水平分別為 17.00%/23.00%/30.00%。

公司其他業(yè)務(wù)2020 年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收 24.83 億元，其中材料、廢料銷售業(yè)務(wù)營(yíng)收23.12億元，同 比增長(zhǎng) 43.07%，占總營(yíng)收比例 27.35%，毛利率高達(dá)92.11%。根據(jù)公司此前公告，其材料、廢 料業(yè)務(wù)收入系高純度的貴金屬材料經(jīng)過(guò)高溫熔合蒸鍍之后，殘留在產(chǎn)線、設(shè)備等多處地方，需作為貴金屬?gòu)U料回收并對(duì)外銷售。三安光電貴金屬回收率較高，以 2018年披露數(shù)據(jù)計(jì)算，三 安光電貴金屬?gòu)U料營(yíng)收為 10.7 億元，貴金屬采購(gòu)總額為 12.53 億元，生產(chǎn)消耗額為 12.53 億 元，實(shí)際消耗額為 1.65 億元，回收率高達(dá) 86.64%。未來(lái)隨著三安光電生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大，貴金屬 原材料應(yīng)用增多，其他業(yè)務(wù)（材料、廢料、租金等）板塊將進(jìn)一步增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)2021-2023 年 公 司 其 他 業(yè) 務(wù) 版 塊 將 實(shí) 現(xiàn) 營(yíng) 收 35.00/39.00/42.00 億 元 ， 毛 利 率 保 持 分別為 80.00%/75.00%/75.00%。

五、風(fēng)險(xiǎn)提示

LED 復(fù)蘇不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)，公司新產(chǎn)品及項(xiàng)目推進(jìn)不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)。

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